\frameforsection[t]{
  \renewcommand\currentblocktitle{N沟道CMOS晶体管物理结构与符号与特性}
  \outonlyblock{
    \vspace{-2ex}
    \twocolumns[.5]{
      \outfigure{.6}{images/NMOS结构示意图与符号.pdf}[N沟道晶体管的物理结构\\
      沟道参数：沟道长度L和宽度W\\
      28nm CMOS工艺是指：L最小值为28nm\\
      给定工艺条件下，用$L/L_{min},W/L_{min}$分别表示\\
      L、W通常为整数]
    }{
      \outfigure{.3}{images/3.png}[NMOS电路符号]
      \begin{itemize}
	\zihao{-6}
	\item 在g和s之间不存在电压差时，g和s之间，g和d之间形成背靠背的PN结，s和d之间电流为0，不存在导电沟道
	\item 在g和s之间存在电压时，且g为正，则在电场效应，电子会被吸引聚集到s和d之间、二氧化硅绝缘层下方，
	  从而在s和d之间形成负电荷导电沟道（N沟道）
      \end{itemize}
    }[t]
  }
  \renewcommand\currentblocktitle{NMOS的开关电路及等效模型}
  \outonlyblock{
    \twocolumns{
      \outfigure{.6}{images/4.png}[NMOS开关电路及其等效模型]
    }{
      \begin{itemize}
	\item 作为开关，NMOS工作时，S要接地，D端接电源正极，G作为控制端
	  \begin{itemize}
	    \item g=1时，开关闭合，即：晶体管导通
	    \item g=0时，开关断开，即：晶体管截止
	  \end{itemize}
	\item 作为开关电路时，S端不能接高电平，否则，晶体管始终截止，故：\alertgreen{NMOS管不能稳定传输1，只能稳定传输0}
	\item 截止状态下，D-S电流为0，导通状态下，D-S电流较大
      \end{itemize}
    }
  }
  \renewcommand\currentblocktitle{\hypertarget{NMOS_delay_model}{NMOS开关电路功耗与延迟电路模型}}
  \outonlyblock{
    \vspace{-2ex}
    \twocolumns[.23]{
      \outfigure{.9}{images/NMOS功耗与延迟电路模型.pdf}
      [$R_s:$开关闭合电阻\\
      $C_g:$栅极电容]
    }{
      \vspace{-2ex}
	\twocolumns{
	  \begin{itemize}
	    \item 功能描述\\
	      g=0,断开\\
	      g=1,s=0,闭合\\
	      g=1,s=1,未定义
	    \item $C_g,R_s$计算公式\\
		$C_g=WLK_C$\\
		$R_s=\frac{L}{W}K_{RN}$
		其中:\\
		$K_C-$常数，单位面积上的电容（法拉/$L^2_{min}$）\\
		$K_{RN}-$常数，NMOS管单位面积上的电阻（欧姆/平方）\\
	  \end{itemize}
      }{
	\begin{itemize}
	  \zihao{-5}
	  \item 多数情况下L，W的表示\\
	    以工艺中最小的栅极长度$L_{min}$为单位表示W和L\\
	    示例：\\
	    28nm工艺中，把具有$L=28nm,W=224nm$的器件称为$L=1,W=8$器件，因$L=1$,故可以进一步简称为W=8器件\\
	    大多数情况下，$W$以$W_{min}=8L_{min}$为基准放大，$W=8$为单位大小器件\\
	    其他器件大小与单位器件大小器件有关\\
	    $K_C$与栅极长度的比例没有太大变化\\
	    $K_C\approx 1.25\times 10^{-9}L_{min}$
	\end{itemize}
      }
    }
  }
  \renewcommand\currentblocktitle{PMOS物理结构及电路符号、开关模型}
  \outonlyblock{
    \vspace{-2ex}
    \twocolumns{
      \outfigure{.5}{images/PMOS结构示意图与符号.pdf}[物理结构]
      \outfigure{.3}{images/PMOS电路符号.png}[电路符号]
    }{
      \begin{itemize}
	\item s=1,g=0,g极金属为负极，吸引衬底中的空穴(正电荷）聚集于s、d间，绝缘层下，形成导电沟道，漏极电流通过
	\item s=1,g=1,不存在空穴导电沟道，无漏极电流通过
	\item s=0,g=0,未定义，不能稳定传输0
      \end{itemize}
    }[c]
  }
  \renewcommand\currentblocktitle{PMOS功耗与延迟电路模型}
  \outonlyblock{
    \twocolumns[.3]{
      \outfigure{.9}{images/PMOS功耗与延迟电路模型.pdf}
    }{
      \begin{itemize}
	\item 功能描述
	  \begin{itemize}
	    \item s=1,g=0,开关闭合,d-s导通
	    \item s=1,g=1,开关断开,d-s截止
	    \item s=0,g=0,未定义
	  \end{itemize}
	\item 在相同CMOS工艺条件下，$K_{RP}=K_{RN}K_P$\\
	  $K_P$-CMOS工艺中，确保PMOS与NMOS开关闭合电阻相等且$L_P=L_N$时PMOS沟道宽度$W_P$与NMOS沟道宽度$W_N$之比\\
	  故：$W_P=K_PW_N$\\
	  $K_P,K_{RN},K_C$都可通过工艺手册查阅\\
      \end{itemize}
    }[c]
  }
}
